WTD製のSFPとRRUのI2Cのシーケンスで、flash memor

WTD製のSFPとRRUのI2Cのシーケンスで、flash memoryは誤りと考えている。
flashメモリは書き込み等には、回数限界がある。
私は、flashへ50ms周期で更新する事は無いので、揮発性RAMと思っている。 再確認して欲しい。

結果 (中国語) 1:

I2C WTD SFP 和 RRU 序列，快闪记忆体被认为是不正确。快闪记忆体是限制数次写等。没有我是 flash 更新时间间隔 50 毫秒，所以想到可变 RAM。 你想要审查。

結果 (中国語) 2:

在由SFP和RRU的WTD的I2C序列，闪存被认为是一个错误。
闪速存储器是在书写等，是有次数限制。
我，因为它不是在50ms的周期闪烁进行更新，认为易失性RAM。我希望你能重新确认。

結果 (中国語) 3:

WTD制的SFP和RRU的I 2 C的顺序，flash memory是错误的想法。在flash内存等，次数也有限度。我对、flash 50 ms周期更新的事因为没有，挥发性RAM认为。希望你再确认一下。